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什么是LED灯!想了解请进!!

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  三、表面微结构技术
  表面微结构制程是提高器件出光效率的又一个有效技术,该技术的基本要点是在芯片表面刻蚀大量尺寸为光波长量级的小结构,每个结构呈截角四面体状,如此不但扩展了出光面积,而且改变了光在芯片表面处的折射方向,从而使透光效率明显提高。测量指出,对于窗口层厚度为20µm的器件,出光效率可增长30%。当窗口层厚度减至10µm时,出光效率将有60%的改进。对于585-625nm波长的LED器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水平。
  四、倒装芯片技术
  通过MOCVD技术在兰宝石衬底上生长GaN基LED结构层,由P/N结发光区发出的光透过上面的P型区射出。由于P型GaN传导性能不佳,为获得良好的电流扩展,需要通过蒸镀技术在P区表面形成一层Ni-Au组成的金属电极层。P区引线通过该层金属薄膜引出。为获得好的电流扩展,Ni-Au金属电极层就不能太薄。为此,器件的发光效率就会受到很大影响,通常要同时兼顾电流扩展与出光效率二个因素。但无论在什么情况下,金属薄膜的存在,总会使透光性能变差。此外,引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影响。采用GaN LED倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。
  五、芯片键合技术
  光电子器件对所需要的材料在性能上有一定的要求,通常都需要有大的带宽差和在材料的折射指数上要有很大的变化。不幸的是,一般没有天然的这种材料。用同质外延生长技术一般都不能形成所需要的带宽差和折射指数差,而用通常的异质外延技术,如在硅片上外延GaAs和InP等,不仅成本较高,而且结合接口的位错密度也非常高,很难形成高质量的光电子集成器件。由于低温键合技术可以大大减少不同材料之间的热失配问题,减少应力和位错,因此能形成高质量的器件。随着对键合机理的逐渐认识和键合制程技术的逐渐成熟,多种不同材料的芯片之间已经能够实现互相键合,从而可能形成一些特殊用途的材料和器件。如在硅片上形成硅化物层再进行键合就可以形成一种新的结构。由于硅化物的电导率很高,因此可以代替双极型器件中的隐埋层,从而减小RC常数。
  六、 激光剥离技术(LLO)
  激光剥离技术(LLO)是利用激光能量分解GaN/蓝宝石接口处的GaN缓冲层,从而实现LED外延片从蓝宝石衬底分离。技术优点是外延片转移到高热导率的热沉上,能够改善大尺寸芯片中电流扩展。n面为出光面:发光面积增大,电极挡光小,便于制备微结构,并且减少刻蚀、磨片、划片。更重要的是蓝宝石衬底可以重复运用。
  LED喷绘屏介绍:
  LED喷绘屏又称为LED日月看板,是将“户外喷绘广告”与“LED电子屏”完美结合的户外广告新产品。
  LED常用照明术语
  1、光通量φ:发光体每秒钟所发出的光量的总和。单位:流明(Lm),表示发光体发光的多少,发光愈多流明数愈大。
  2、光 强I:发光体在特定方向单位立体角内所发射的光通量。单位:坎德拉(cd)。
  3、照 度E:发光体照射在被照物体单位面积上的光通量。单位:勒克斯(Lux)=流明Lm/面积m2。
  4、亮 度L:发光体在特定方向单位立体角单位面积内的光通量。单位:尼脱(mcd)。
  5、光 效:电光源将电能转化为光的能力,以发出的光通量除以耗电量来表示。单位:每瓦流明(Lm/w)。
  6、平均寿命:指一批灯至50%的数量损坏时的小时数。单位:小时(h)。
  7、经济寿命:在同时考虑灯泡的损坏以及光束输出衰减的状况下,其综合光束输出减至特定的小时数。室外的光源为70%,室内的光源为80%。
  8、色 温:光源发射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光色相同时,黑体的温度称为该光源的色温。光源色温不同,光色也不同,色温在3000k以下有温暖的感觉,达到稳重的气氛;色温在3000k-5000k为中间色温,有爽快的感觉;色温在5000k以上有冷的感觉。单位:K。
  9、显色性:光源的显色性是由显色指数来表明,它表示物体在光下颜色比基准光(太阳能)照明时颜色的偏离能较全面反映光源的颜色特性。要正确表现物体本来的颜色需使用显色指数高的光源。单位:Ra。
  10、色表:是指人眼直接观察光源时所看到的颜色。街道高压钠灯发出的光既亮且白,但当看到被照射的人的面孔时显表灰色,这说明高压钠灯的色表并不差,但显色性不好。
  11、眩光:视野内有亮度极高的物体或强烈的亮度对比,则可以造成视觉不舒适称为眩光,眩光是影响照明质量的重要因素。

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